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div class="pro_js"> 产品介绍 针对MOSFET/IGBT驱动，芯能在国内率先开发出驱动IC，具有高可靠性和广泛的兼容性，可以满足消费、家电、工业、新能源等领域对电机驱动和电源转换的多样化需求。 ...

产品介绍 芯能推出的IGBT模块采用沟槽结构的场截止技术（Trench Field Stop），沟槽元胞结构大大增加器件的功率密度，通过超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer P...

产品介绍 IPM将功率器件连同其驱动电路和多种保护电路封装在同一模块内，进行过完美的匹配，使系统设计者从繁琐的驱动和保护电路设计中解脱出来，同时提高了系统的可靠性。 ...

产品介绍芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢...